ОБЪЯВЛЕНИЕ О ЗАЩИТЕ ДИССЕРТАЦИИ
Соискатель:
Сим Павел Евгеньевич
Шифр совета:
Сторонний совет
Вид диссертации:
кандидатская
Тема диссертации
:
Исследование омических контактов НЕМТ транзисторов на основе GaN
Специальность:
01.04.04 - Физическая электроника
Работа выполнена в Томском государственном университете систем управления и радиоэлектроники, Национальном исследовательском Томском государственном университете и АО Научно-производственной фирмы «Микран»
Научный руководитель:
д-р техн. наук, профессор Троян Павел Ефимович
Научный консультант:
д-р физ.-мат. наук, профессор Брудный Валентин Натанович
Дата защиты:
02/28/2019 г.
Место защиты:
Диссертация
Материалов нет
Сведения о научном руководителе (руководителях)
Материалов нет
Отзыв научного руководителя (руководителей)
Материалов нет
Сведения о научном консультанте (консультантах)
Материалов нет
Отзыв научного консультанта (консультантов)
Материалов нет
Решение о принятии к защите
Материалов нет
Автореферат
Материалов нет
Сведения об официальных оппонентах,
согласия на назначение
Материалов нет
Отзывы официальных оппонентов
Материалов нет
Сведения о ведущей организации,
согласие на назначение
Материалов нет
Отзыв ведущей организации
Материалов нет
Отзывы на автореферат
Материалов нет
Сведения о результатах защиты диссертации
Материалов нет